本帖最后由 小飞飞 于 2020-7-22 15:06 编辑
长鑫
长鑫产品规划图 / 长鑫
长鑫研发出了首颗量产的国产DDR4内存芯片,其8GB和4GB的DDR4内存产品也已经上市。其DDR4产品使用长鑫的10G1(19nm)工艺,相同工艺也将用于今年下半年投产的LPDDR4X产品。据其产品规划图显示,长鑫将开发基于10G3工艺(17nm)的DDR4、LRDDR4X、DDR5和LPDDR5产品,未来还有基于10G5的DDR5/LPDDR5和GDDR6。目前长鑫存储已经建成了第一座12英寸晶圆厂并投产,并计划再建两座晶圆厂。
Synopsys
VC VIP原理图 / Synopsys
DDR5标准公布后,Synopsys也公布了业界首个兼容该标准的DDR5 DRAM/DIMM 验证IP(VIP)。用于DDR5的Synopsys VC VIP以易用性、快速集成能力以及高性能实现了下一代内存设备的设计与验证,进一步加速了验证这个过程。此外Synopsys DesignWare的DDR5/4 PHY和控制器IP也可以在高至6400 Mb/s的速率下运行,支持DDR5标准的各种特性。
DesignWare DRR5/4控制器多端口AXI配置 / Synopsys
Rambus
Rambus的DDR5服务器DIMM缓冲芯片组是业界首个为下一代DDR5开发的半导体。该芯片组可以提升内存容量,同时保持DIMM的峰值性能。这些增益对于未来对数据密集的应用来说非常关键。
DIMM缓冲芯片 / Rambus
DDR5数据缓冲器(DB)和寄存时钟驱动器(RCD)用在DDR5的服务器内存RDIMM和LRDIMM中,与未缓冲的DIMM相比,前者可以实现更高的的带宽、性能和容量。RDIMM和LRDIMM减少了CPU的负载,改善了控制/地址总线上的信号完整性。更重要的是,DDR5 DB将减少数据总线上的有效负载,如此一来可以在模块上加入更大容量的DRAM。
澜起
DDR5 RCD和DB套片 / 澜起
以内存接口芯片为主营业务的澜起科技也公布了自己的DDR5接口芯片,包括DB芯片M88DR5DB01和RCD芯片M88DR5RCD01,支持DDR5-4800。据其公司投资者关系记录称,澜起于2019年已完成了符合JEDEC标准第一子代的DDR5 RCD和DB芯片工程样片的流片,并于去年下半年送样给客户和合作伙伴测试评估,计划在2020年完成第一子代DDR5内存接口量产芯片的研发。
JEDEC预计DDR5的总体推广曲线与以往的DDR标准相近,因此我们也许得在12到18月后才能看到DDR5的内存出现在设备中。但随着科技产业的逐渐成熟,JEDEC同时预计DDR5的货架寿命会比DDR4要长。照各大厂商目前的开发速率,未来一段时间内我们必会陆续看到他们的DDR5样品和商用DIMM,相信明年的服务器市场和客户桌面端市场会迎来新的转变。
本篇完
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