HPM6200系列共有12产品型号,均基于开放的RISC-V指令集架构,可选单核、双核,可选144 LQFP、116 BGA两种封装(与已量产的HPM6300系列兼容),可选内置4MB闪存或无闪存,全线通过AEC-Q100认证,工作温度范围从零下40℃到125℃。
其中,双核型号主频达到600MHz,支持双精度浮点运算、强大DSP扩展,性能达到6780 CoreMark、3420 DMIPS,可在1微秒内完成基于矢量控制的电流控制环路运算。
集成32KB IO高速缓存,双核共有512KB零等待指令和数据本地存储器(ILM/DLM),还有256KB的通用SRAM,可以避免低速外部存储器引发的性能损失。
集成4组8通道增强型PWM控制器,其中2组高分辨率PWM调制精度高达100ps,提升了系统控制精度,还可以单芯片控制多轴电机,或者单芯片实现复杂拓扑的数字电源。
集成2个可编程逻辑阵列PLA,灵活实现组合逻辑和时序逻辑器件互联,在芯片内实现用户独有的功能电路设计。
集成3个2MSPS 16位高精度ADC,配置为12位精度时转换率可达4MSPS,支持多达24个模拟输入通道。
集成4个模拟比较器、2个1MSPS 12位DAC。
集成Σ-Δ数字滤波SDM,包含SINC数字滤波器,可外接4路ΣΔ调制器,实现带隔离的高精度电流和电压信号采集。
集成多种通讯接口,包括1个内置PHY物理层的高速USB、4路CAN-FD、4路LIN,以及丰富的UART、 SPI、I2C等。